特許

J-GLOBAL ID：200903036396713080

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小林 清輝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-117027
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308361
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜の絶縁破壊を抑制することができ、半導体装置の信頼性を向上することが可能な半導体装置を得る。【解決手段】 このPMOSトランジスタは、P型シリコン基板1、P型シリコン基板1の一主面上に形成された素子分離酸化膜2、P型シリコン基板1の主面に形成されたNウエル3、P型シリコン基板1の主面上に形成され、窒素を含んだゲート酸化膜4、P型にドープされ、且つ窒素がドープされている、ゲート酸化膜4上に形成された多結晶シリコン膜からなるゲート電極5、PMOSトランジスタのゲート電極5の両側面に設けられたサイドウオール酸化膜6、及び、ゲート電極5を挟んでP型シリコン基板1の主面に形成され、P型にドープされたソースとドレイン7を具備する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の一主平面上に、当該シリコン基板をN2Oガス又はN2OとO2の混合ガス雰囲気中で熱酸化することにより形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成され、窒素及びP型ドーパントが添加された電極とを備えた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/283 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/283 C ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 P