特許
J-GLOBAL ID：200903036396798115
半導体装置及びそれに用いる2層リードフレーム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-318141
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163400
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 0.8mm以下に薄型化しても、樹脂封止時にダイシフトやボイドの発生が生じにくく、もって薄型で信頼性および量産性に富んだ構造を持つ半導体装置と、それに用いるのに適した2層リードフレームを提供する。【解決手段】 リード部11と金属層12とが積層された2層リードフレーム1の、その金属層12に半導体素子2を固定するための接着剤層13の厚みを100〜350μmとし、その接着剤層13内に、半導体素子2をその素子厚の1/3以上にわたって埋没させた構造とすることで、樹脂封止領域内における凹凸の程度を減少させ、ダイシフト並びにボイドの発生を抑制する。
請求項（抜粋）：
接着剤層を介して半導体素子を固定するための金属層と、リード部とが相互に積層されてなる2層リードフレームを備えた半導体装置であって、上記接着剤層の厚みが100〜350μmであり、かつ、半導体素子がその接着剤層の中に少なくとも当該素子厚の1/3以上埋まっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/50
, C09J179/00
, H01L 21/56
, H01L 23/28
H01L 23/50 G
, C09J179/00
, H01L 21/56 T
, H01L 23/28 A
