特許

J-GLOBAL ID：200903036399004144

半導体装置

発明者： 井元 晋也 ,  中島 妙子
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159589
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008234
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板との界面や絶縁膜中の水素の量を減らして、特性の劣化を生じない信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 回路素子が形成される半導体基板1と、該半導体基板上に設けられる絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられるメタル配線9と、メタル配線上に設けられる保護用の絶縁膜とを有する半導体装置であって、前記半導体基板上に設けられる絶縁膜が少なくとも3層の絶縁膜を有し、前記半導体基板に近い側の第1層の絶縁膜6が水素濃度が1at%以下のシリコン酸化物からなり、第2層の絶縁膜7がシリコン過剰のシリコン酸化膜、シリコンチッ化膜またはシリコン酸化チッ化膜からなり、第3層の絶縁膜8がシリコン濃度が50at%未満のシリコンチッ化膜からなっている。

請求項（抜粋）：

回路素子が形成される半導体基板と、該半導体基板上に設けられる絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられるメタル配線と、メタル配線上に設けられる保護用の絶縁膜とを有する半導体装置であって、前記半導体基板上に設けられる絶縁膜が少なくとも3層の絶縁膜を有し、前記半導体基板に近い側の第1層の絶縁膜は水素濃度が1at%以下のシリコン酸化物からなり、第2層の絶縁膜はシリコン濃度がシリコン過剰のシリコン酸化膜またはシリコンチッ化膜またはシリコン酸化チッ化膜からなり、第3層の絶縁膜はシリコン濃度が50at%未満のシリコンチッ化膜からなる半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 K ,  H01L 29/78 301 N