特許
J-GLOBAL ID:200903036403280402
光電変換素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-107672
公開番号(公開出願番号):特開2004-319112
出願日: 2003年04月11日
公開日(公表日): 2004年11月11日
要約:
【課題】電解質中の沃素イオン等腐食性の高いハロゲンイオンから接合電極を隔離することで、接合金属の材質になんら制限を受けない、大面積かつ信頼性の高い光電変換素子を提供する。【解決手段】1対のベース基板の間に、第一導電層、光電変換層、電解質層、第二導電層、ベース基板の順で構成してなる光電変換機能を有する単位素子が2個以上並んだ光電変換素子であって、単位素子の第一導電層と、前記単位素子のとなりに形成された単位素子の第二導電層とが接合部を介して電気的に直列接続されており、前記接合部が有機高分子樹脂により電解質層から隔離された構造を有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
1対のベース基板の間に、第一導電層、光電変換層、電解質層、第二導電層の順で構成してなる単位素子が2個以上並んだ光電変換素子であって、単位素子の第一導電層と、前記単位素子の隣の単位素子の第二導電層とが接合部を介して電気的に直列接続されており、前記接合部が有機高分子樹脂により前記電解質層から隔離された構造を有する光電変換素子。
IPC (3件):
H01M14/00
, H01L31/04
, H01M2/36
FI (3件):
H01M14/00 P
, H01M2/36 101A
, H01L31/04 Z
Fターム (22件):
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051EA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA10
, 5F051GA03
, 5F051HA20
, 5H023AA05
, 5H023CC01
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB04
, 5H032BB05
, 5H032CC16
, 5H032EE01
, 5H032EE04
, 5H032EE07
, 5H032EE18
, 5H032HH04
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