特許

J-GLOBAL ID：200903036413614031

半導体基板の製造方法及びそれを用いた固体撮像素子の製造方法

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 内野 美洋 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-326888
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133318
出願日： 2001年10月24日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造に用いられる半導体基板のゲッタリング能力を向上させること。【解決手段】 本発明では、半導体基板(1)の表面(2)側からイオンを注入することによって半導体基板(1)の内部にゲッタリングサイト(6)を形成する半導体基板(1)の製造方法において、イオン注入時にイオン(5)とともに注入される不純物(7)を捕捉するための不純物捕捉膜(3,4)を半導体基板(1)の表面に形成し、同不純物捕捉膜(3,4)を介して半導体基板(1)の内部にイオン(5)を注入してゲッタリングサイト(6)を形成し、その後、半導体基板(1)の表面(2)から不純物捕捉膜(3,4)を除去することとした。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面側からイオンを注入することによって半導体基板の内部にゲッタリングサイトを形成する半導体基板の製造方法において、イオン注入時にイオンとともに注入される不純物を捕捉するための不純物捕捉膜を半導体基板の表面に形成し、同不純物捕捉膜を介して半導体基板の内部にイオンを注入してゲッタリングサイトを形成し、その後、半導体基板の表面から不純物捕捉膜を除去することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/322 ,  C23C 14/48 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/148

FI (6件)：

H01L 21/322 J ,  H01L 21/322 N ,  H01L 21/322 Q ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 A

Fターム (13件)：

4K029AA06 ,  4K029BA58 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA15 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06