特許

J-GLOBAL ID：200903036415079230

集積型半導体光素子およびその製造方法

発明者： 大柴 小枝子
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-321008
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154770
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 迷光の影響を低減して導波光を出射させ、かつ製造工数を低減すること。【解決手段】 光変調器領域200の変調吸収層26よりも下側に迷光吸収層20bを設け、かつ当該迷光吸収層を発振領域100の活性層20aおよび変調吸収層の結合部から光変調器領域の出射端面19の直前の位置まで設けてあること。

請求項（抜粋）：

発振領域と光変調器領域が一体化し、かつ前記発振領域の活性層と前記光変調器領域の変調吸収層とが連続的に結合されている集積型半導体光素子において、前記変調吸収層よりも下側に迷光吸収層を設け、かつ該迷光吸収層を前記活性層および前記変調吸収層の結合部から前記光変調器領域の出射端面の直前の位置まで設けてあることを特徴とする集積型半導体光素子。