特許
J-GLOBAL ID：200903036419529095
埋込プラグの形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113423
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326096
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 ヴィア孔へのプラグ形成が選択性よく行える埋込プラグの形成方法を提供する。【構成】 層間絶縁膜4上のレジスト5がホトリソグラフィ技術によってパターニングされる。このレジスト5をマスクに層間絶縁膜4がエッチングされ、下層配線金属膜3が一部露出するヴィア孔4aが形成される。O2 プラズマエッチングおよび有機溶剤処理によってエッチングマスクに用いられたレジスト5が除去される。次に、オゾン含有水8によって基板表面が洗浄され、続いて水洗および乾燥処理が行われる。その後、選択CVDによってヴィア孔4aの内部に金属膜が選択堆積され、埋込プラグ9が形成される。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上のレジストをパターニングする工程と、パターニングされた前記レジストをマスクに前記絶縁膜をエッチングしてヴィア孔を形成する工程と、エッチングマスクに用いた前記レジストを除去する工程と、化学気相反応によって前記ヴィア孔に埋込プラグを選択的に形成する工程とを備えた埋込プラグの形成方法において、エッチングマスクに用いたレジストを除去する前記工程が終了した後、原子状酸素を含む溶液によって前記絶縁膜表面を洗浄する工程を備えたことを特徴とする埋込プラグの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, C23C 16/20
, H01L 21/90
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 C
