半導体ウェハおよびその加工方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-244039
公開番号（公開出願番号）：特開2002-052448
出願日： 2000年08月07日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】【課題】オリエンテーションフラットによるウェハの結晶方位の判別や位置合わせの精度を低下させることなく、ウェハの処理工程中にチッピングや割れなどのウェハの損傷を防止することができる、半導体ウェハおよびその加工方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハ10の劈開してその外周に劈開面12を形成し、この劈開面12と半導体ウェハ10の表裏面とが交差する部分である表面側角部および裏面側角部の少なくとも一方を、劈開面12の一部が所定の厚さ分だけ残るように面取り加工する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの外周に形成された劈開面と半導体ウェハの表裏面とが交差する部分である表面側角部および裏面側角部の少なくとも一方が、前記劈開面の一部が所定の厚さ分だけ残るように面取り加工されていることを特徴とする、半導体ウェハ。

IPC (3件)：

B24B 9/00 601 , H01L 21/02 , H01L 21/304 621

FI (3件)：

B24B 9/00 601 H , H01L 21/02 B , H01L 21/304 621 E

Fターム (4件)：

3C049AA02 , 3C049CA02 , 3C049CA05 , 3C049CB01

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-076226
特開平4-113619
特開平2-076226

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