特許

J-GLOBAL ID：200903036421296790

半導体装置

発明者： 内藤 俊樹 ,  杉本 正和 ,  大内 一男
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-109627
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326159
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【構成】 絶縁体層5の一方表面51から他方表面52まで連通する導通路6a,6bが異方導電性フィルム4に形成され、各導通路6a,6bは、絶縁体層5の表面51,52よりも外方向に突出して形成された第1および第2バンプ7a,7b,8a,8bにそれぞれ接続している。半導体素子2の一方表面21に形成された電極9a,9bは異方導電性フィルム4の第2バンプ8a,8bに当接し、ビームリード3a,3bは第1バンプ7a,7bに当接している。【効果】 電極9a,9bに対応する第1バンプ7a,7bにビームリード3a,3bを当接させるだげでよく、電極9a,9bとビームリード3a,3bとの位置合わせおよび接続が容易となり、接続が確実なものとなる。異方導電性フィルム4の位置合わせを行うことにより、電極とビームリードとの導通が一括して行われるので、時間的およびコスト的に有利なものとなる。

請求項（抜粋）：

相互に導通する第1および第2接点部がそれぞれ絶縁体層の両面に形成された異方導電体が、半導体素子の電極部と外部基板の導電部との間に介在されており、該電極部が該第1接点部に接続され、該導電部が該第2接点部に接続されていることを特徴とする半導体装置。