特許
J-GLOBAL ID：200903036424793256
半導体装置の製造方法及び半導体基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261498
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106936
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 低コストなパターン作成方法である干渉露光法を用いるにも拘らず、深さ及び形状が均一な回折格子を安定して形成できるようにする【解決手段】 結晶基板10の上に形成されたネガ型レジスト膜11に回折格子状のパターンを焼き付けると共に、ネガ型レジスト膜11における結晶基板10の平坦部形成領域10bと対応する部分にコンタクトフォトマスク13のパターンを焼き付けた後、ネガ型レジスト膜11に対して現像を行なうと、平坦部形成領域10bにおいてはネガ型レジスト膜11が全面に残る一方、回折格子形成領域10aにおいては回折格子状のレジストパターン15が形成される。残存するネガ型レジスト膜11及びレジストパターン15を用いて結晶基板10に対してウェットエッチングを行なうと、回折格子16及び平坦部17が形成され、ネガ型レジスト膜11及びレジストパターン15を除去すると、回折格子16及び平坦部17が露出する。
請求項（抜粋）：
基板上に干渉縞パターン部と平坦部とを連続して有する半導体装置の製造方法であって、基板上にネガ型レジスト膜を形成する工程と、前記ネガ型レジスト膜に複数の光束のコヒーレント光を互いに干渉するように照射することにより、前記ネガ型レジスト膜に干渉縞のパターンを焼き付ける工程と、前記ネガ型レジスト膜における基板の干渉縞パターン部形成領域と対応する部分をフォトマスクにより覆った後、前記ネガ型レジスト膜に対して1光束の非コヒーレント光を照射し、その後、前記ネガ型レジスト膜を現像することにより、基板の干渉縞パターン部形成領域の上に前記ネガ型レジスト膜よりなるレジストパターンを形成すると共に基板の平坦部形成領域に前記ネガ型レジスト膜を残存させる工程と、前記レジストパターン及び前記残存するネガ型レジスト膜をエッチングマスクとして基板に対してエッチングを行なうことにより、基板における前記レジストパターンの下側部分に干渉縞パターン部を形成すると共に基板における前記残存するネガ型レジスト膜の下側部分に平坦部を形成する工程と、前記レジストパターン及び前記残存するネガ型レジスト膜を除去して、基板の前記干渉縞パターン部及び前記平坦部をそれぞれ露出させる工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G02F 1/025
, G03F 7/20 521
, G03F 7/40 521
, H01S 3/18
H01L 21/30 528
, G02F 1/025
, G03F 7/20 521
, G03F 7/40 521
, H01S 3/18
