特許

J-GLOBAL ID：200903036427706150

トランジスタ及びその製造方法

発明者： ジェウン ウォン スー ,  クワン ミョウン ロー ,  セオン ミン ホワン
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-339626
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036354
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 トランジスタにおいて、ショートチャネル効果を防止して動作特性を安定させる。【解決手段】 シリコン基板101 にトレンチ104 を形成し、そのトレンチ104の下部に絶縁膜105'を埋め込み、チャネルを形成するためにトレンチ104 の上部にシリコン膜106'を埋め込む。その構造上にゲート酸化膜108'を形成し、さらにそのゲート酸化膜108'上にゲート電柱109'を形成する。その後、ソース/ドレイン領域110 を形成するために不純物イオンを注入する。

請求項（抜粋）：

基板にトレンチを形成する段階、前記トレンチの上部を除く下部に絶縁膜を埋め込む段階、トランジスタのチャネルのために前記トレンチの上部と前記絶縁膜上に伝導膜を埋め込む段階、全体構造上部にゲート酸化膜を形成する段階、前記ゲート酸化膜上にゲート電柱を形成する段階、及び、ソース/ドレイン領域を形成するために前記基板に不純物イオンを注入する段階を具備することを特徴とするトランジスタ製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-165364
  
• 特開昭59-138377