特許

J-GLOBAL ID：200903036429683777

化合物半導体基板

発明者： 柴 育成
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118702
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315208
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 Si基板10上にGaAs層11aが形成された化合物半導体基板において、前記Si基板10表面に上下底面14a、14bが(100)面、側面13が(111)面からなる断面形状が角錘台のストライプ状の凹凸が交互に形成され、これらストライプ状の凹凸が形成されたSi(100)基板10上にGaAs層11aが形成されている化合物半導体基板。(100)面での成長速度と比較して(111)面での成長速度が極端に遅いため、側面13では化合物半導体層はほとんど成長せず、上下底面14a、14bで分離された所望のGaAs層11aがストライプ状に形成される。従ってSiO2膜なしで分離された所望のGaAs層11aが形成される。【効果】 結晶欠陥を低減してGaAs層の結晶性を向上させることができる。またSiO2膜あるいはSi3N4 膜等を形成する必要がない。

請求項（抜粋）：

Si基板上に化合物半導体層が形成された化合物半導体基板において、前記Si基板表面に上下底面が(100)面、側面が(111)面からなる断面形状が角錘台のストライプ状の凹凸が交互に形成され、これらストライプ状の凹凸が形成されたSi(100)基板上に前記化合物半導体層が形成されていることを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01S 3/18