特許

J-GLOBAL ID：200903036431023296

半導体エネルギー検出器

発明者： 赤堀 寛
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000009140
公開番号（公開出願番号）：WO2001-048826
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月05日
要約：

【要約】半導体基板の表面に2次元の画素配列を有する検出及び電荷を蓄積・転送する領域を有し、半導体基板にエネルギー線が入射される半導体エネルギー検出器において、検出及び電荷を蓄積・転送する領域は、各画素内に複数設けられた転送電極と、各画素内のいずれか一つの転送電極に設けられた過剰電荷排出手段と、を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に2次元の画素配列を有する検出及び電荷を蓄積・転送する領域を有し、前記半導体基板にエネルギー線が入射される半導体エネルギー検出器において、 前記検出及び電荷を蓄積・転送する領域は、 各画素内に複数設けられた転送電極と、 前記各画素内のいずれか一つの転送電極に対応して設けられた過剰電荷排出手段と、を備えることを特徴とする半導体エネルギー検出器。

IPC (6件)：

H01L 27/148 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/335 ,  G01T 1/20

FI (7件)：

H01L 27/14 B ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 U ,  G01T 1/20 E ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A