シリコン単結晶の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：押田良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128344
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302099
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】【課題】 CZ法にてCドープによる酸素析出物の発生を促進したシリコン単結晶の製造に際し、従来法ではインゴットのC濃度を成長軸方向で均一にすること困難であったことを解消し、インゴット中のC濃度を一定にして特性の良いシリコン単結晶を形成する。【解決手段】 C及び/又はC化合物を含むガスを単独又は複合したガスとAr等不活性ガスとを混合した雰囲気中で引き上げを行うと、成長時の偏析係数の影響が大幅に緩和され、かつ濃度分布は直径方向でもほぼ均一となり、Cドーピング用ガスを一定流量で導入して引上げ育成後に測定した単結晶インゴットのC濃度勾配をもとに、引上げ育成時に導入ガス量を変化させて該インゴット中のC濃度を一定にすることができる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法にて結晶引上げを行い単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法において、C及び/又はC化合物を含むガスを単独又は複合したCドーピング用ガスを導入した雰囲気中でシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , H01L 21/208 , H01L 21/322

FI (4件)：

C30B 29/06 502 H , C30B 15/00 Z , H01L 21/208 P , H01L 21/322 Y

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