特許

J-GLOBAL ID：200903036434560594

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 石原 貴光 ,  村岡 浩一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-072107
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231370
出願日： 2008年03月19日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】 不揮発性半導体記憶装置の書き込み特性を向上させることができる。また、不揮発性半導体記憶装置の隣接素子間の干渉を抑制することができる。【解決手段】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面内に、チャネル領域を挟んで互いに離間して設けられたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた絶縁性電荷蓄積層と、前記絶縁性電荷蓄積層上に設けられた両側部に絶縁層が設けられた導電性電荷蓄積層と、前記導電性電荷蓄積層上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた制御ゲートとを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の表面内に、チャネル領域を挟んで互いに離間して設けられたソース領域及びドレイン領域と、 前記チャネル領域上に設けられたトンネル絶縁膜と、 前記トンネル絶縁膜上に設けられた絶縁性電荷蓄積層と、 前記絶縁性電荷蓄積層上に設けられた導電性電荷蓄積層と、 前記導電性電荷蓄積層上に設けられた層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に設けられた制御ゲートとを備え、 前記導電性電荷蓄積層のチャネル長方向の長さが、前記絶縁性電荷蓄積層のチャネル長方向の長さより短いことを特徴とする 不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (33件)：

5F083EP03 ,  5F083EP08 ,  5F083EP23 ,  5F083EP44 ,  5F083EP56 ,  5F083ER02 ,  5F083ER11 ,  5F083ER13 ,  5F083GA06 ,  5F083GA12 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083PR06 ,  5F101BA19 ,  5F101BA23 ,  5F101BA26 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• SONOS型メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-018224   出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-175704   出願人：三星電子株式会社
• 不揮発性半導体メモリセル及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-000518   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-086803   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-099540   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-301351   出願人：株式会社東芝