特許

J-GLOBAL ID：200903036440729118

電力変換装置における偏磁低減方法及び偏磁低減回路

発明者： 三野 和明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-222854
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037973
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 電力変換装置内の変圧器の偏磁を低減させて回路素子を保護する。【解決手段】 変圧器Trの一次側にフルブリッジ接続された半導体スイッチング素子Q1〜Q4を有する電力変換装置であって、一の上下アームのスイッチング素子Q1,Q2のオン・オフ信号に対し他の上下アームのスイッチング素子Q3,Q4のオン・オフ信号の位相をシフトさせてスイッチング制御するようにした電力変換装置に適用される偏磁低減方法及び偏磁低減回路である。変圧器Trの偏磁量を検出し、その偏磁量に応じて一の上下アームのスイッチング素子Q1,Q2のオン・オフ信号のデューティ比を変化させることにより、偏磁量を減少させる。

請求項（抜粋）：

変圧器の一次側にフルブリッジ接続された半導体スイッチング素子を有する電力変換装置であって、一の上下アームのスイッチング素子のオン・オフ信号に対し他の上下アームのスイッチング素子のオン・オフ信号の位相をシフトさせてスイッチング制御するようにした電力変換装置において、前記変圧器の偏磁量を検出し、その偏磁量に応じて一の上下アームのスイッチング素子のオン・オフ信号のデューティ比を変化させることにより偏磁量を減少させることを特徴とする、電力変換装置における偏磁低減方法。

IPC (3件)：

H02M 3/28 ,  H02M 7/48 ,  H02M 7/537

FI (4件)：

H02M 3/28 D ,  H02M 3/28 P ,  H02M 7/48 M ,  H02M 7/537 D

Fターム (18件)：

5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC32 ,  5H007DB01 ,  5H007DC02 ,  5H007DC05 ,  5H007EA02 ,  5H007FA03 ,  5H007FA13 ,  5H730AA19 ,  5H730BB27 ,  5H730DD04 ,  5H730DD16 ,  5H730DD34 ,  5H730FG05 ,  5H730FG23 ,  5H730XX15 ,  5H730XX27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-022471
  
• フルブリッジ形スイッチングレギュレータの偏磁防止回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-324724   出願人：株式会社ユアサコーポレーション