アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096110
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290012
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィー工程の数を増加させることなく、薄膜トランジスタの構造を改善することにより歩留まりおよび性能の向上を図る。【解決手段】絶縁基板101上への金属膜102の成膜、パターニングによりボトムゲート電極1とゲートバスライン2を形成する工程と、絶縁膜成膜工程と、金属膜102’の成膜、パターニングによりドレイン電極3とドレインバスライン4とソース電極5を形成する工程と、半導体膜104、絶縁膜105の成膜、パターニングによりアイランド6を形成する工程と、絶縁膜成膜工程と、絶縁膜のパターニングによりボトムゲート電極-トップゲート電極導通用コンタクトホール7とソース電極-画素電極導通用コンタクトホール7を形成する工程と、透明導電膜106の成膜、パターニングによりトップゲート電極9と画素電極8を形成する工程、を有する。

請求項（抜粋）：

デュアルゲート構造の薄膜トランジスタをスイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、絶縁基板上に形成されたボトムゲート電極および該ボトムゲート電極に接続されたゲートバスラインと、これらボトムゲート電極、ゲートバスラインを覆う第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に形成されたドレイン電極および該ドレイン電極に接続されたドレインバスラインおよびソース電極と、前記ドレイン電極およびソース電極の少なくとも一部と重なるように下層側から半導体膜と第2の絶縁膜で形成されたアイランドと、該アイランドを覆う第3の絶縁膜と、該第3の絶縁膜上に形成された透明導電膜からなるトップゲート電極および画素電極、を有してなり、前記ボトムゲート電極と前記トップゲート電極がコンタクトホールを介して電気的に接続されるとともに、前記ソース電極と前記画素電極がコンタクトホールを介して電気的に接続されたことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 617 N , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 627 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-236993 出願人：日本電気株式会社
特開平2-016767
特開平1-276671

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