特許

J-GLOBAL ID：200903036447375222

半導体レーザ装置

発明者： 佐川 みすず ,  平本 清久 ,  土屋 朋信 ,  豊中 隆司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-255491
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111363
出願日： 1993年10月13日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 高出力、高信頼性を有する0.98μm帯半導体レーザを実現することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1上にn-InGaPクラッド層3、InGaAsP光ガイド層15、InGaAs歪量子井戸層13とGaAs障壁層14より構成される歪量子井戸SCH活性層4、p-InGaPクラッド層5、p-InGaAsP光導波層6、p-InGaPクラッド層7を有する半導体レーザ装置において、活性層4に達しないようにリッジを形成し、リッジ部はn-InGaP電流狭窄層9により埋め込まれる。【効果】 本発明により、素子の抵抗を従来と比較して4分の1以下とし、素子駆動時における発熱量を減少させることができる。この結果、高出力まで安定なモードで動作する歪量子井戸半導体レーザを得ることができる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に少なくとも光を発生する活性層と光を閉じ込めるInGaPクラッド層を有する半導体レーザ装置において、前記GaAs基板と反対側のクラッド層中に少なくとも一層のInGaAsPからなる層が挿入されていることを特徴とする半導体レーザ装置。