特許
J-GLOBAL ID:200903036458286272
ピラー支持されたキャップを使用するMEMSデバイスのカプセル化
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
倉内 基弘
, 遠藤 朱砂
, 吉田 匠
, 中島 拓
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-560864
公開番号(公開出願番号):特表2006-518672
出願日: 2003年12月12日
公開日(公表日): 2006年08月17日
要約:
シールされたキャビティ内にMEMSマイクロ構造体を作製するための方法が提供される。本方法によれば、エッチャントの入口孔が、そうしたエッチャント入口孔をキャップ層にエッチング加工する追加段階を要すること無く、前記作製方法の副産物として創出される。本方法には、犠牲層の材料をキャップ層の水平方向境界部分を越えて伸延させることが含まれる。キャップ層は、犠牲層を貫いてエッチング除去された孔に付着されることにより形成したピラーによって支持され、エッチャントの入口孔が、余分の犠牲層材料をエッチング除去することにより前記キャップ層を支持するピラー間に空間が残されることにより形成される。
請求項(抜粋):
マイクロ構造体を収納するためのシールされたキャビティの製造方法であって、
基材を用意すること、
該基材上に1つ以上の犠牲層を付着させること、
該1つ以上の犠牲層を貫き前記基材に達する複数の孔をエッチング成形により創出させること、
前記1つ以上の犠牲層上にキャップ層を付着させ、該付着されたキャップ層が、前記複数の孔内に、該キャップ層を支持する複数のピラーを形成するようにすること、
上記構成の構造にエッチャントを導入して前記1つ以上の犠牲層をエッチング除去し、該エッチャントの導入に際して前記複数のピラー間から犠牲層がエッチング除去されることにより形成される孔を通し、該エッチャントをキャップ層の下方部分に入るように導入させること、
を含む方法。
IPC (3件):
B81C 1/00
, H01L 29/84
, G01P 15/08
FI (3件):
B81C1/00
, H01L29/84 Z
, G01P15/08 P
Fターム (12件):
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA23
, 4M112CA31
, 4M112DA03
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA07
, 4M112EA09
, 4M112EA11
, 4M112FA20
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
米国特許出願第09/583,386号
-
米国特許第5,285,131号
-
米国特許第5,493,177号
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