特許
J-GLOBAL ID：200903036459241159
半導体ウェーハの損傷評価用試料およびこの試料を用いた損傷評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-054858
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246341
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハが受ける損傷を、容易に評価することのできる半導体ウェーハの損傷評価用試料と、この試料を用いた損傷評価方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハと組成の異なる材料12,13,14...と、前記半導体ウェーハと同一組成の材料11とを予め決めた厚さごとに複数積層した試料を、損傷を与える可能性のある工程を実施した前後で、フォトルミネッセンス法により測定して、その前後の結果を比較することとにより試料の損傷の程度およびその深さ評価する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハに生じる損傷をフォトルミネッセンス法により評価するための試料であって、前記半導体ウェーハと組成の異なる材料と、前記半導体ウェーハと同一組成の材料とを予め決めた厚さごとに複数積層したことを特徴とする半導体ウェーハの損傷評価用試料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 N
, G01N 21/88 E
