特許
J-GLOBAL ID：200903036463683794
二酸化ケイ素成膜基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224538
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053492
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】低温成膜が可能であり量産性にも優れた二酸化ケイ素成膜基板の製造方法を提供する。【解決手段】イオンプレーティング蒸着法もしくはイオンビームアシスト蒸着法を適用して基板上に該基板より熱膨張係数の小さい二酸化ケイ素を主成分とした膜を100°C以下の基板温度で形成する二酸化ケイ素成膜基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
真空槽内に誘電体基板と二酸化ケイ素を主成分とする膜材料とを配置し、前記誘電体基板と前記膜材料との間に気体プラズマを発生させると共に前記膜材料側を正とする電界を印加した上で、前記膜材料を加熱してこれを気化した後、前記気体プラズマ中でイオン化し、このイオン化した膜材料を前記電界により加速して前記誘電体基板表面に付着せしめたことを特徴とする二酸化ケイ素成膜基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/18
, C01B 33/12
, C03B 8/04
, C03B 20/00
C30B 29/18
, C01B 33/12 C
, C03B 8/04
, C03B 20/00
