特許

J-GLOBAL ID：200903036466455130

アクティブ型XYアドレス方式固体撮像装置及びその駆動方 法

発明者： 中柴 康隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091094
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289075
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 CMOSセンサにおいて、光電変換部で光電変換された浮遊電荷が拡散し、隣接した光電変換部のポテンシャル井戸にトラップされることによるMTF(modulation transfer function)の劣化を抑制する。【解決手段】 光電変換部を構成するP型ウエル層104aを反対導電型のN型半導体基板101内に形成する。N型半導体基板101には第1の電位を印加し、P型ウエル層104aにはN型半導体基板101と逆バイアスになるように第2の電位を印加する。これにより、光電変換部の深層部で光電変換された浮遊電荷はP型ウエル層104a下方のN型半導体基板101内に形成されるポテンシャル井戸でトラップされるので、MTFを向上させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に光電変換部とCMOS回路部とが同一プロセスにより形成され、光電変換部で発生した電荷による電位変化を出力するアクティブ型XYアドレス方式固体撮像装置において、第1の電位が供給されている第1導電型半導体基板上に、光電変換部を形成する第2導電型ウエル層であって、前記第1導電型半導体基板と逆バイアスになるように第2の電位が供給されている第2導電型ウエル層と、CMOS回路を形成する第1導電型ウエル層であって、前記第1の電位が供給されている第1導電型ウエル層と、CMOS回路を形成する第2導電型ウエル層であって、前記第1導電型半導体基板と逆バイアスになるように第2の電位が供給されている第2導電型ウエル層と、が形成されていることを特徴とするアクティブ型XYアドレス方式固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭53-091622
  
• 特開昭63-013582
  
• 特開平1-091453
  
• 特開昭60-115260