リソグラフィ工程

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233081
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308048
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】本発明は、異なる寸法または異なる形状を持った超微細レジストパターンを設計通りに形成することが可能であり、特に0.2μm程度以下の超微細パターン及び0.15μm以下の超微細パターンが混在するランダムパターンまで形成可能なリソグラフィ工程を提供することを目的とする。【構成】異なる寸法または異なる形状を有するレジストパターンを形成するに際し、変形照明法によりレジストを所定のパターンに露光し、形成されたレジスト層の溶解除去すべきレジスト領域に関して、前記レジスト層表面における溶解除去面積の小さい溶解除去すべきレジスト領域のレジストの溶解を増大させる能力を有する界面活性剤を含むリソグラフィ用現像液を前記レジストパターンの形成の少なくとも一部に用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

異なる寸法または異なる形状を有するレジストパターンを形成するに際し、変形照明法によりレジストを所定のパターンに露光し、形成されたレジスト層の溶解除去すべきレジスト領域に関して、前記レジスト層表面における溶解除去面積の小さい溶解除去すべきレジスト領域のレジストの溶解を増大させる能力を有する界面活性剤を含むリソグラフィ用現像液を前記レジストパターンの形成の少なくとも一部に用いることを特徴とするリソグラフィ工程。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 , G03F 7/32

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-091662
特開平1-129250
特開昭61-091662

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