特許
J-GLOBAL ID:200903036476986850

ポジ型レジスト材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中本 宏 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-060955
公開番号(公開出願番号):特開平5-232704
出願日: 1992年02月18日
公開日(公表日): 1993年09月10日
要約:
【要約】【目的】 高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】 ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された樹脂(A)、溶解阻害剤(B)、及び酸発生剤(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、(A)が置換率の異なった2種類以上の樹脂から構成され、(B)が1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を含み、重量分率が、0.01≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1、であるレジスト材料。更にポリヒドロキシスチレンを添加してもよい。【効果】 寸法制御性に優れ、系がより単純で、微細加工に有用である。
請求項(抜粋):
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された樹脂(A)、溶解阻害剤(B)、及び酸発生剤(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された樹脂(A)が置換率の異なった2種類以上の樹脂から構成され、該溶解阻害剤(B)が1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を含み、重量分率が、0.01≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1、であることを特徴とするレジスト材料。
IPC (5件):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/027 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027

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