特許
J-GLOBAL ID：200903036477069096
液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016395
公開番号（公開出願番号）：特開平6-230425
出願日： 1993年02月03日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】マスク数、およびホトリソ工程を減少させる液晶表示装置を製造し、同時に、その歩留まりを向上させる。【構成】本発明では、ゲ-ト絶縁膜、ノンド-プのアモルファスシリコン膜、不純物ド-プのアモルファスシリコン膜、および、メタル層を連続成膜し、その後、同一マスクで連続エッチングして薄膜トランジスタを形成する。また、薄膜トランジスタの段差を無くすために、有機膜を設けて、表示電極の段切れを防止している
請求項（抜粋）：
透明な絶縁性基板と、この上に設けられた複数のゲ-トラインと、このゲ-トラインと直行する方向に設けられた複数のドレインラインと、前記ゲ-トラインとドレインラインの交点にマトリクス状に設けられたTFTスイッチング素子と表示電極とを少なくとも有する液晶表示装置において、前記TFTは、前記ゲ-トラインと一体のゲ-ト電極と、このゲ-ト電極を覆うようにして前記絶縁性基板上に設けられたゲ-ト絶縁膜と、この上に設けられたアモルファスシリコン活性層と、この上に互いに離間して設けられた二つのアモルファスシリコンコンタクト層と、これの上に設けられた二つのメタル層と、このうち一方のメタル層上に、前記表示電極と一体で形成されるソ-ス電極と、もう一方のメタル層上に前記ドレイラインと一体であり、前記表示電極と同一材料で成るドレイン電極から成り、前記表示電極の下に前記TFTを除く前記絶縁性基板全域にわたって、前記TFTと同程度の膜厚の有機膜が設けられていることを特徴とした液晶表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 21/336
, H01L 29/784
