特許
J-GLOBAL ID：200903036479395721

多接合型薄膜太陽電池とその製造方法

発明者：
吉田 隆

吉田 隆 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-057875
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258279
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 不純物の取り込みやピンホールの発生が無く、変換効率が高く、かつ製造が容易な多接合型薄膜太陽電池とその製造方法を提供する。【解決手段】 p型半導体層(p層)、実質的に真性なi型半導体層(i層)、n型半導体層(n層)を積層したpin型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層(前記n層またはp層)の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記低屈折率層(5)はシリコンオキサイド半導体層とする。
請求項（抜粋）：
p型半導体層(p層)、実質的に真性なi型半導体層(i層)、n型半導体層(n層)を積層したpin型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層(前記n層またはp層)の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とすることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
Fターム (2件)：
5F051AA05 ,  5F051DA18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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