特許

J-GLOBAL ID：200903036481656591

窒化物系化合物半導体の製造方法及び半導体素子

発明者： 小野 善伸 ,  秦 雅彦
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321552
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124515
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 高キャリア濃度のp型層を過酷な条件を必要とせずに窒化物系化合物半導体に形成できるようにすること。【解決手段】 2族及び又は4族のp型ドーパントと窒素とを、窒化物系化合物半導体にイオン打ち込みしてp型化を図ることにより窒素の空孔の発生を抑え、イオン打ち込み時に窒化物系化合物半導体を加熱することなく、且つイオン打ち込み後における熱処理を高圧印加の必要なしに行って高キャリア濃度のp型層を得るようにした。この結果、窒化物系化合物半導体を過酷な条件にさらすことなく、そのp型化を図り、高キャリア濃度化を達成することができる。

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体に2族元素とN(窒素)とをイオン注入し、しかる後、イオン注入された前記窒化物系化合物半導体を熱処理してp型の窒化物系化合物半導体を製造することを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 601

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/265 601 A ,  H01L 21/265 F

Fターム (6件)：

5F041AA21 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71