特許

J-GLOBAL ID：200903036481668336

半導体装置

発明者： 村上 善則 ,  クライソン トロンナムチャイ ,  中島 靖志
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-127531
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335868
出願日： 1994年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】ノーマリ・オフ型で、制御性に優れ、オン抵抗の低いトランジスタを実現する。【構成】基板であるコレクタ領域2の表面に同じ導電型のエミッタ領域3を設け、コレクタ領域2の一部と前記エミッタ領域3とを挾むように絶縁膜5で囲まれたU字型の固定絶縁電極4を配置する。この固定絶縁電極4はエミッタ電極3と同電位に保たれ、かつ隣接するコレクタ領域2に空乏層を形成する材料から成る。この空乏層によってエミッタ領域3とコレクタ領域2は電気的に遮断されるように配置する。またコレクタ領域2と絶縁膜5とに接し、エミッタ領域3には接しない反対導電型のインジェクタ領域8を設け、それに外部から電位を設定できるようにし、この電位によって絶縁膜5界面の電位やコレクタ領域2の伝導度を制御する。さらに固定絶縁電極4の上面をエミッタ領域3の底面よりも深い位置に離すことによってhFEをさらに向上させたものである。

請求項（抜粋）：

コレクタ領域である一導電型の半導体基体の一主面に接して、同一導電型のエミッタ領域を1個または複数個有し、前記エミッタ領域を挟んで、前記コレクタ領域の表面から前記半導体基体方向に向かい、かつ前記半導体基体には達しない、溝を1個または複数個有し、前記溝の内部には、絶縁膜によって前記コレクタ領域とは絶縁され、かつ、前記エミッタ領域と同電位に保たれた固定絶縁電極を有し、前記固定絶縁電極は、前記絶縁膜を介して隣接する前記コレクタ領域に空乏領域を形成するような性質を有する導電性材料からなり、前記固定絶縁電極を取り囲む前記絶縁膜ならびに前記コレクタ領域に接して、前記エミッタ領域には接しない、反対導電型のインジェクタ領域を有し、前記エミッタ領域に隣接するコレクタ領域の一部であって、前記固定絶縁電極に挟まれ、前記インジェクタ領域の電位が前記エミッタ領域の電位と同電位に保たれている状態では、前記空乏領域の形成するポテンシャル障壁によって前記エミッタ領域と前記コレクタ領域とを電気的に遮断状態とするチャネル領域を有し、前記溝の開口部側に面している前記固定絶縁電極の表面が、少なくとも前記絶縁膜との界面においては、前記エミッタ領域の表面から前記溝の深さ方向に測って、前記エミッタ領域の底面よりも深い位置にある、ことを特徴とする半導体装置。