特許

J-GLOBAL ID：200903036484589755

レーザ加工方法

発明者： 福世 文嗣 ,  福満 憲志 ,  内山 直己 ,  和久田 敏光
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277163
公開番号（公開出願番号）：特開2002-192367
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【課題】 基板の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、基板を切断することができるレーザ加工方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係るレーザ加工方法は、表面3に回路部2が形成されかつ裏面21にダイシングフィルム4が貼り付けられた基板1の内部に集光点Pを合わせて、ダイシングフィルム4に対して透過性を有するレーザ光Lをダイシングフィルム4を介して基板1の裏面21から入射させ、基板1の切断予定ライン5に沿って基板1の内部に多光子吸収による溶融処理領域13を形成する工程を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせて、前記粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の前記裏面から入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。

IPC (4件)：

B23K 26/00 320 ,  B28D 5/00 ,  H01L 21/301 ,  B23K101:40

FI (4件)：

B23K 26/00 320 E ,  B28D 5/00 Z ,  B23K101:40 ,  H01L 21/78 B

Fターム (15件)：

3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  3C069CA11 ,  3C069EA01 ,  3C069EA04 ,  3C069EA05 ,  4E068AE00 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10 ,  4E068DA11 ,  4E068DB13

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-328665   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体デバイスのチップ分離方法及び半導体デバイス固定用エキスパンドシート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065994   出願人：三菱電機株式会社
• 高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-023880   出願人：理化学研究所
• 特開平3-124486