特許

J-GLOBAL ID：200903036490597662

金属酸化膜の形成方法

発明者： 清利 正弘 ,  今井 馨太郎 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060400
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273216
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【構成】 キャパシタ用絶縁膜のチタン酸ストロンチウム膜48の成膜に供するガスとして、炭素およびハロゲンの少なくとも一つを含む金属化合物ガスと、水酸基を有する有機化合物ガスと、酸素を含む物質のプラズマガスとを含み、チタン酸ストロンチウム膜48をCVD法により形成する。【効果】 分子内に水酸基を含む有機化合物と酸素とにより、チタン酸ストロンチウム膜中に残存するハロゲンを除去する。また、酸素を成膜室前段で一旦プラズマ状態におくことにより生成した酸素フリーラジカルを反応促進剤として用いることにより、チタン酸ストロンチウム成膜時に膜中への炭素の混入を防ぎ、高品質な成膜を達成できる。

請求項（抜粋）：

炭素およびハロゲンの少なくとも一つを含む金属化合物ガスを基体が収容された成膜室に直接導入する工程と、水酸基を有する有機化合物ガスを前記成膜室に直接導入する工程と、酸素を含むガスを放電室内に導入し、この酸素を含むガスをプラズマ化した後、このプラズマ化した酸素を含むガスを前記成膜室に導入する工程と、前記金属化合物ガス、有機化合物ガス、プラズマ化した酸素を含むガスを用いて、前記成膜室内で金属酸化膜をCVD法により前記基体上に形成することを特徴とする金属酸化膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C