特許
J-GLOBAL ID：200903036495497631
電子放出素子、電子源、画像形成装置、及びこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243233
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 良好な電子放出特性と高輝度を長時間にわたって実現できる電子放出素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に、素子電極2,3、及び導電性膜4を形成した後、該導電性膜4上に、ニッケル、コバルト、鉄、或いはこれらの酸化物からなる皮膜層6を形成した後、電子放出部5を形成し、活性化処理を行うことによって、該電子放出部5及びその近傍に、配向性及び結晶性の高いグラファイト状炭素を堆積させる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された一対の素子電極と、該素子電極のそれぞれに電気的に接続された導電性膜と、該導電性膜の一部に形成された電子放出部を有する電子放出素子であって、上記導電性膜上に、ニッケル、鉄、コバルトのうち少なくとも一種類の元素を含む被膜層を有し、且つ少なくとも上記電子放出部に、炭素を含む堆積物を有することを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 E
, H01J 9/02 E
