特許

J-GLOBAL ID：200903036497345146

電子部品の製造法

発明者： 大矢 和行 ,  藤平 正気 ,  大津 和弘 ,  小林 秀樹
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194077
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077304
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】350°C以上の高温処理工程に使用可能な半導体基板の保持方法を見出す。【解決手段】厚さ 0.2mm以上の半導体基板(SE)の片面(A面) に配線及び機能を有する回路を形成後、該A面を保持基板(BP)に接着保持(AS)させて、露出した反対面(B面)を物理的、化学的または複合法にて研磨して厚さを 0.2mm未満とし、配線及び機能を有する回路を形成して半導体回路基板(PSE) とし、該半導体回路基板(PSE) を該保持基板(BP)から剥離(PS)することからなる電子部品の製造法において、該B面の研磨乃至回路形成工程に 350°C以上の高温処理工程が含まれるものであって、該接着保持(AS)に耐熱性熱可塑性樹脂(HR)を用いることを特徴とする電子部品の製造法。【効果】本発明にて、裏面 (露出面) の研磨乃至回路形成工程に 350°C以上の高温処理工程が含まれる半導体回路製造工程に適用できるものであり、その意義は極めて高い。

請求項（抜粋）：

厚さ 0.2mm以上の半導体基板(SE)の片面 (A面) に、不純物導入を含む半導体回路を形成を行った後、該A面側を保持基板(BP)に接着(AS)し、露出面 (B面)を物理的、化学的または複合法にて研磨して厚さを 0.2mm未満とした後、該B面に所望の半導体回路を形成して半導体回路基板(PSE) とし、該半導体回路基板(PSE) を該保持基板(BP)から剥離(PS)することからなる電子部品の製造法において、該B面の研磨乃至回路形成工程に 350°C以上の高温処理工程が含まれるものであって、該接着保持(AS)に耐熱性熱可塑性樹脂(HR)を用いることを特徴とする電子部品の製造法。

IPC (2件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 21/304 621

FI (2件)：

H01L 27/00 301 W ,  H01L 21/304 621 B