特許
J-GLOBAL ID：200903036501387460
薄膜キャパシタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326314
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 誘電体膜を高い成膜温度で作製しても金属電極が酸化して見かけ上の誘電率が低下することがなく、またその後のプロセスにおいて高温でアニールしても絶縁性の劣化の生じない薄膜キャパシタを提供する。【構成】 下部電極、誘電体、上部電極が順次形成された構造において、下部電極の最上層に導電性窒化膜あるいはその上に白金族元素からなる膜を形成し、上部電極の最下層に導電性窒化膜を形成する。ここで、導電性窒化膜はTaN、ZrNまたはHfNとする。
請求項（抜粋）：
基板上に金属電極が形成され、該電極上に導電性窒化膜が形成され、該窒化膜上に誘電体膜が形成され、該誘電体膜上に導電性窒化膜が形成され、該窒化膜上に金属電極が形成されてなる薄膜キャパシタであって、導電性窒化膜がTaN、ZrNまたはHfNからなることを特徴とする薄膜キャパシタ。
引用特許：
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