特許
J-GLOBAL ID：200903036507620426
半導体ディスク装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264725
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078056
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】チップ交換や増設に関係しないフラッシュEEPROM上のデータに影響を与えること無く、半導体ディスク装置の記憶容量を変更する。【構成】ホストシステム1からドライブ番号#0が指定された時には第1メモリブロックが選択され、ドライブ番号#1が指定された時には第2メモリブロックが選択される。このため、ホストシステム1から見ればそれら第1および第2のメモリブロックはそれぞれ異なるディスクドライブとなり、第1のメモリブロックのフラッシュEEPROM11-1〜11-3に書き込まれるデータと、第2のメモリブロックのフラッシュEEPROM11-4〜11-6に書き込まれるデータはそれぞれ別個に管理される。したがって、第2のメモリブロック内でチップ交換や増設を行っても、第1のメモリブロックのフラッシュEEPROM11-1〜11-3に書き込まれているファイルは何等影響されない。
請求項（抜粋）：
複数のフラッシュEEPROMを内蔵し、アクセス対象のディスクドライブを指定するためのドライブ番号とそのアクセス対象のディスクドライブに含まれるディスク記録媒体をアドレス指定するための論理アドレスとを含むホスト装置からのディスクアクセス要求に応じて前記フラッシュEEPROMをアクセスする半導体ディスク装置であって、前記ディスクアクセス要求によって指定可能な第1および第2のドライブ番号がそれぞれ割り当てられ、各々がフラッシュEEPROMを有する第1および第2のメモリブロックと、前記論理アドレスをアドレス変換情報に従って前記第1または第2のメモリブロックのフラッシュEEPROMをアクセスするための物理アドレスに変換するアドレス変換手段と、前記ホスト装置によって指定されたドライブ番号に応じて前記第1および第2のメモリブロックのいずれか一方を選択し、その選択したメモリブロックのフラッシュEEPROMを前記アドレス変換手段によって変換された物理アドレスに従ってリード/ライトアクセスするメモリアクセス手段と、前記第1および第2のメモリブロック、前記アドレス変換手段、および前記メモリアクセス手段が設けられる回路基板とを具備することを特徴とする半導体ディスク装置。
IPC (2件)：
G06F 3/08
, G06F 3/06 301
