特許

J-GLOBAL ID：200903036509980268

半導体記憶回路

発明者： 松下 一浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279468
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130189
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 ROMにおけるセンンスアンプ回路の低電圧動作範囲を広げる。【構成】 複数本のデータ線を各々選択スイッチを介して共通接続した共通データ線を定常バイアスレベルまでチャージアップするプリチャージ回路にプリチャージ電流を制御するスイッチ手段と電源電圧検出手段とからなるバイアス回路を設け、電源電圧が低下した場合にプリチャージ回路のチャージアップ素子により流される電流を抑制するようにした。【効果】 低電圧時にプリチャージ回路からのチャージアップ電流をカットすることで、センスアンプ回路の低電圧動作範囲を広げることが可能になる。

請求項（抜粋）：

記憶情報に従ってディプレッション型かエンハンスメント型に形成され、そのゲートがそれぞれワード線に結合された直列形態の複数の記憶MOSFETを含むメモリアレイ部と、このメモリアレイ部にカラム選択回路を介して結合される共通データ線と、この共通データ線の電圧を受ける反転増幅回路及びこの反転増幅回路の出力信号を受けて上記共通データ線に電流を供給するソースフォロワ形態のMOSFETとからなるセンスアンプ回路と、上記センスアンプ回路と実質的に同一の回路で上記共通データ線の電位に対してソースフォロワ形態のプリチャージMOSFETのカットオフ電圧を上記センスアンプ回路の対応する電流供給用MOSFETより低く設定したプリチャージ回路と、電源電圧のレベルを検出して上記プリチャージ回路に制御電圧を供給してプリチャージ電流を制御する電流制御回路とを含むことを特徴とする半導体記憶回路。