特許
J-GLOBAL ID：200903036516652349
スパッタリングターゲットとワークピースとの間の電極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-247777
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213320
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 定期的浄化交換を要しないコリメート装置を備えるスパッター堆積装置を提供する。【解決手段】 ターゲットをスパッタすることによって半導体基板上に膜を堆積するスパッタリングチャンバ。ターゲットと基板間に配されたコリメート電極は、電圧源に接続される。この電圧は、コリメーターをスパッタ清浄するため、またはターゲット材料イオンを加速することによってターゲット材料流をコリメートするため、または堆積膜中のスパッタリングプロセスガス量を制御するために用いられる。第一電極と基板間に配された第二電極は、正電圧に接続されてイオンを減速し、基板損傷の危険を減じる。
請求項（抜粋）：
電気的に接地された壁を有するスパッタリングチャンバと、前記スパッタリングチャンバ内に配されたスパッタリングターゲットと、プロセスガスを前記スパッタリングチャンバ内に供給するガス源と、前記ターゲットの隣接域で前記プロセスガスをプラズマ状態に励起して前記ターゲットからのターゲット材料のスパッタリングを促進するプラズマ源と、前記スパッタリングチャンバ内に半導体基板を保持する支持部材と、前記ターゲットと前記基板支持部材との間に配されたコリメーター電極と、前記コリメーター電極と接地された前記チャンバ壁との間に第一の電圧を供給するために接続された第一の電圧源とを備え、前記第一の電圧源が前記基板上の堆積ターゲット材料内に包含されるプロセスガス原子の量を制御する、ターゲットからスパッタされコリメートされた材料のフラックスを半導体基板上に堆積する装置。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C23C 14/34
, C23C 14/44
, H01L 21/285
