特許

J-GLOBAL ID：200903036518847988

太陽電池

発明者： 北谷 健 ,  矢澤 義昭 ,  綿引 誠次 ,  田村 克 ,  峯邑 純子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041697
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283778
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【目的】 第1のIII-V化合物半導体層上にV族元素を異にする第2のIII-V化合物半導体層を積層する構造を有する太陽電池において、成膜時のV族元素切替えに起因する界面生成物による再結合損失を低減し、効率を向上する。【構成】 第1のIII-V族化合物半導体のpn接合により形成される太陽電池(n型領域4及びp型領域5)の窓層3及びBSF層6材料として、他のV族元素を構成元素とする第2のIII-V族化合物半導体を積層する。そのヘテロ界面に、第1及び第2の化合物半導体の少なくとも一方より大きい禁制帯幅を有し、それらを構成するV族元素の両方を構成元素とする第3のIII-V族化合物半導体層9を導入した。

請求項（抜粋）：

周期律表のIII-V族元素から成る第1の化合物半導体層と、それとは異なるV族元素を構成元素とする第2のIII-V族化合物半導体層とを積層する構造を有する太陽電池において、前記第1の化合物半導体層と第2の化合物半導体層との界面に前記第1及び第2の化合物半導体の少なくとも一方より大きい禁制帯幅を有し、前記第1及び第2の化合物半導体層を構成するV族元素の両方を構成元素とする第3のIII-V族化合物半導体層を導入したことを特徴とする太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 L ,  H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-261882
  
• 特開昭60-218881
  
• 特開平2-036536