特許
J-GLOBAL ID：200903036519633655
薄膜トランジスタ、これを用いた半導体装置、液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215225
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064833
出願日： 1994年08月18日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 TFTにおいてサイズを増大させることなく、リークパスを防止する。【構成】 絶縁性基板1上に形成した半導体領域2に、濃いp領域のソース領域5及びドレイン領域を形成し、チャネル上にゲート絶縁膜3を介してゲート電極4を設けてなるTFTにおいて、半導体領域2の側壁部とゲート電極4とが交差する領域に、濃いn領域8を形成し、当該領域におけるリークを防止する。
請求項（抜粋）：
絶縁層上に半導体領域と、該半導体領域のチャネル上にゲート絶縁膜を介して位置するゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、少なくとも、半導体領域の側壁部とゲート電極とが絶縁層を介して接する領域に、半導体領域のソース及びドレイン領域とは逆の導電形で他の半導体領域の不純物濃度よりも高濃度の不純物領域を有し、且つ該不純物領域が電気的にフローティングになっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 621
