特許

J-GLOBAL ID：200903036519801523

露光方法及びレチクル

発明者： 戸口 学
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099324
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266168
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は露光方法に関し、分割露光形式で回路パターンを感光基板上に2つ以上露光する場合、露光回数を減らして露光装置のスループツトを向上し得るような露光方法を実現する。【解決手段】回路パターン1Aの分割回路パターンC1と、該分割回路パターンC1と感光基板上で隣り合う回路パターン1Bの分割回路パターンC2とを1つのレチクル16C上に描き、露光時には、レチクル16Cに描かれた分割回路パターンC1と分割回路パターンC2とを同時に露光するようにした。これにより露光回数を減らすことができ、露光装置のスループツトを向上し得る。

請求項（抜粋）：

1つの回路パターンを分割して得た分割回路パターンが描かれたレチクルを感光基板に対して露光することにより、該感光基板に2つ以上の前記回路パターンを露光する露光方法において、前記感光基板に露光される一方の前記回路パターンの分割回路パターンと、該分割回路パターンと前記感光基板上で隣り合う他方の前記回路パターンの分割回路パターンとを前記レチクル上に描き、露光時には、前記レチクルに描かれた前記一方の分割回路パターンと前記他方の分割回路パターンとを同時に露光することを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/20

FI (5件)：

H01L 21/30 515 F ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-162670
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-273913   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-162670