特許
J-GLOBAL ID：200903036521849401
高誘電酸化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-334552
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168096
出願日： 1997年12月04日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】高誘電酸化膜の特性(高誘電性,絶縁性)を劣化させることなくシリコン層上に直接、高誘電酸化膜を形成する。【解決手段】シリコン層1上に高誘電窒化膜2を形成した後、当該高誘電窒化膜2を酸化して高誘電酸化膜4に変化させる。好適には、高誘電酸化膜4は比誘電率が20以上である。高誘電酸化膜4の組成に酸化ジルコニウム,酸化タンタル,酸化チタン,酸化セシウム,酸化ハフニウムの何れかを主として含み、高誘電窒化膜2の組成に窒化ジルコニウム,窒化タンタル,窒化チタン,窒化セシウム,窒化ハフニウムの何れかを主として含む。高誘電酸化膜4のエンタルピーは、高誘電窒化膜2又はシリコン酸化膜のエンタルピーより低く、熱力学的に安定である。
請求項（抜粋）：
シリコン層上に高誘電酸化膜を形成する方法であって、上記シリコン層上に高誘電窒化膜を形成した後、当該高誘電窒化膜を酸化して高誘電酸化膜に変化させる高誘電酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 S
, H01L 21/31 E
