特許
J-GLOBAL ID:200903036526371020

研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大日方 富雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-069730
公開番号(公開出願番号):特開平5-234970
出願日: 1992年02月18日
公開日(公表日): 1993年09月10日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 2枚の薄板を張り合わせて形成された張合せ薄板を所望の板厚とすべく研磨処理を行うにあたって、簡易な手法で高平坦度を得るようにし、もって製品の歩留り向上、更には製造コストの低減を図る。【構成】 2枚の半導体ウェハ(薄板)110,120の一方の面110A,120Aを互いに接着して張合せ半導体ウェハ(張合せ薄板)100を形成し、該張合せ半導体ウェハ100をラッピング装置に搭載して上面110B及び下面120Bを同時にラッピングする。ラッピング処理が行われた張合せ半導体ウェハの両面にアルカリエッチング処理を施し、その後、ポリッシング装置に搭載してその上面110B及び下面120Bを同時にポリッシングする。尚、上記張り合わされる2枚の半導体ウェハ110,120の他方の面110B,120Bには、予め所定膜厚の加工取り代110C,120Cが形成されている。
請求項(抜粋):
2枚の薄板の一方の面を互いに接着して張合せ薄板を形成し、該張合せ薄板の上面及び下面を同時に研磨することを特徴とする研磨方法。

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