ウエハ及びその作成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244689
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097014
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体素子等の形成に用いられるシリコンウエハに関し、加熱処理を行っても、酸素が析出しにくく、転位の発生を一層よく抑制することが可能なウエハの提供を目的とする。【構成】一の濃度の酸素と該一の濃度以上のリチウム(Li)とp型不純物とを含有するIV族の半導体からなるウエハ11であって、前記p型不純物及びリチウム(Li)は互いの濃度を補償し、比抵抗が1Ω・cm以上となっていることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

一の濃度の酸素と該一の濃度以上のリチウム(Li)とp型不純物とを含有するシリコンウエハであって、前記p型不純物及びリチウム(Li)は互いの発生するキャリア濃度を補償し、比抵抗が1Ω・cm以上となっていることを特徴とするウエハ。

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