特許

J-GLOBAL ID：200903036532496284

発光ダイオード

発明者： 後藤 広将 ,  今井 秀秋
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222627
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069546
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【構成】 絶縁性基板上にn型半導体層、p型およびi型半導体層から選ばれた2種以上の組み合わせからなる発光層を少なくとも一つ有し、かつ半導体層の所定の部位に発光層に電圧を印加するための電極を有するプレーナ構造の素子チップにおいて、電極とリード部材との接続が全てワイヤ-である構造を特徴とする発光ダイオード。【効果】 電極間の接触が少なく、発光性能に優れた、品質の安定したLEDが得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にn型半導体層、p型およびi型半導体層から選ばれた2種以上の組み合わせからなる発光層を少なくとも一つ有し、かつ半導体層の所定の部位に発光層に電圧を印加するための電極を有するプレーナ構造の素子チップにおいて、電極とリード部材との接続配線が全てワイヤ-である構造を特徴とする発光ダイオード。