特許
J-GLOBAL ID：200903036532814197
高周波プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141932
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311448
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：
【要約】【目的】高周波プラズマCVD装置で、1バッチあたりの成膜処理個数を増大させること。【構成】ガス透過可能でグランド電位を有する電極により複数個に分割された真空領域内のそれぞれに基材14がマッチッグボックスを介して高周波電源と接続されることを特徴とする高周波プラズマCVD装置。【効果】真空槽内を複数個に分割した状態で基材およびカソ-ド電極を配置しプラズマCVDを行なうことにより、バッチあたりの処理個数が著しく増加し、同一真空槽内であっても、基材の形態、個数に応じた最適な条件での成膜処理が可能となった。
請求項（抜粋）：
ガス透過可能でグランド電位を有する電極により複数個に分割された真空領域内のそれぞれに、基材がマッチッグボックスを介して高周波電源と接続配置されることを特徴とする高周波プラズマCVD装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, B01J 19/08
, H01L 21/205
, H01L 21/31
