特許
J-GLOBAL ID：200903036536743251
ホモ接合半導体装置とそれを用いた光電変換半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244375
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097481
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 I-III-(VI)2のカルコパイライト化合物半導体薄膜と格子定数、基体表面に対する配向性、表面モホロジーを整合可能とし、デバイス特性を改善したホモ接合半導体装置および光電変換半導体装置を提供する。【構成】 Mo下部電極上に、CuInSe2薄膜、ZnOおよびITO薄膜を具備した素子を製造し、これにN原子のイオン線を加速して照射し、CuInSe2薄膜中にホモ接合を形成し、光電変換半導体装置を作製した。
請求項（抜粋）：
化学式I-III-(VI)2-x(V)xで表されるカルコパイライト構造と、化学式I-III-(VI)2-x(VII)xとで表されるカルコパイライト構造とがホモ接合したことを特徴とするホモ接合半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
