特許
J-GLOBAL ID：200903036539307797
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121160
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333874
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】この発明は、微細ホ-ルの底部にボイドが生じることを抑制することにより、微細ホ-ルにおける金属膜のマイグレ-ション信頼性を向上させる。【構成】シリコン基板31の表面上に熱酸化膜32を設け、熱酸化膜32にコンタクトホ-ル32a を設け、コンタクトホ-ル32a の内および熱酸化膜32の上にバリアメタル33を形成し、バリアメタル33の上に圧力が数mmTorrの雰囲気でスパッタリング法によりAl合金膜34を形成する。この際、Al合金膜34をコンタクトホ-ル32a の上でブリッジングさせる。次に、シリコン基板31を、図示せぬレ-ザ・メルト装置におけるプロセス室に入れ、このプロセス室内の圧力を0.8Torr以上の雰囲気とし、前記Al合金膜34にレ-ザ光を照射し、前記Al合金膜34をコンタクトホ-ル32a 内に埋め込む。従って、微細ホ-ルの底部にボイドが生じることを抑制できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に絶縁膜を設ける工程と、前記絶縁膜に微細ホ-ルを設ける工程と、前記微細ホ-ルの内および前記絶縁膜の上にバリアメタル及び主配線材金属膜を設ける工程と、圧力が0.8Torr以上の雰囲気で、前記主配線材金属膜にレ-ザ光を照射することにより、前記主配線材金属膜によって前記微細ホ-ル内を埋め込む工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/268
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
