特許
J-GLOBAL ID：200903036545050790
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213804
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064846
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 薄膜化したバリア層であっても元素の拡散を防止することができて、半導体装置のより一層の高集積化に対応できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上にTi、W、Ta、Hf、Ni、V及びCr等の高融点金属又は高融点金属の窒化物若しくはシリサイドからなる高融点金属層4を形成する。次に、例えばSi2 H6 を含む雰囲気中で500°Cの温度に10分間保持する。これにより、高融点金属層4の結晶の隙間にSiが充填され、組織が密のバリア層5が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に高融点金属又は高融点金属の窒化物若しくはシリサイドからなる高融点金属層を形成する工程と、周期表の第III 族、第IV族及び第V族の元素のうちから選択されたいずれか1種の元素を含む水素化物又は有機化合物の雰囲気中で前記高融点金属層をアニールする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/28 301
, C23C 14/58
, H01L 21/285
, H01L 21/324
, H01L 21/768
, H01L 21/203
H01L 21/28 301 T
, C23C 14/58 A
, H01L 21/285 S
, H01L 21/324 Z
, H01L 21/203 S
, H01L 21/90 C
