特許
J-GLOBAL ID：200903036555562403
セラミックスICパッケージの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-311769
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167631
出願日： 1994年12月15日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【構成】 内部に導体回路を有するセラミックス基板表面の金属配線上に、無電解Ni-Bメッキ処理を施した後、窒素を含有しない還元性ガス雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で、メッキ被膜上にピンをろう付けする工程を含んでいるセラミックスICパッケージの製造方法。【効果】 無電解Ni-Bメッキ処理により形成されたNi-Bメッキ被膜の変色や前記Ni-Bメッキ被膜上へのセラミックス基板に含まれる焼結助剤の浮き上がりを抑制することができ、次工程において形成するAuメッキ被膜のつきまわり(Ni-Bメッキ被膜とAuメッキ被膜の密着性)を良好なものにすることができ、優れた性能を有するセラミックスICパッケージを製造することができる。
請求項（抜粋）：
内部に導体回路を有するセラミックス基板表面の金属配線上に、無電解Ni-Bメッキ処理を施した後、窒素を含有しない還元性ガス雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で、前記メッキ被膜上にピンをろう付けする工程を含んでいることを特徴とするセラミックスICパッケージの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/08
