特許

J-GLOBAL ID：200903036563018100

窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法

発明者： 向井 孝志 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-352259
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166923
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカットするに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形、サイズにカットする方法を提供する。【構成】 サファイア基板の厚さを100〜250μmとし、さらに、前記ウエハーの基板側、もしくは窒化ガリウム系化合物半導体層側、またはその両側をスクライブして切断する。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に一般式GaXAl1-XN(0≦X≦1)で表されるGaXAl1-XN(0≦X≦1)系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法において、前記サファイア基板の厚さを100〜250μmとし、さらに、前記ウエハーの基板側、もしくは窒化ガリウム系化合物半導体層側、またはその両側をスクライブして切断することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。

IPC (3件)：

H01L 21/78 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-153347
  
• 特公昭58-015480