特許
J-GLOBAL ID：200903036563700068
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356997
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186603
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 従属相を効率良く量子ドットとして作用させるに必要な構成要件を明確とすることにより、発光層から得られる発光特性を、安定した優れたものとする。【解決手段】 この発明は、インジウム組成を互いに異にする主体相21と従属相22とから成る多相構造のインジウム含有III 族窒化物半導体層を発光層2とする窒化物半導体発光素子において、上記従属相22を、周囲の主体相21との境界に歪層23を有する結晶体から主に構成する、ことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
インジウム組成を互いに異にする主体相と従属相とから成る多相構造のインジウム含有III 族窒化物半導体層を発光層とする窒化物半導体発光素子において、上記従属相を、その周囲の主体相との境界に歪層を有する結晶体から主に構成する、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
